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管のモリブデン プロダクト マグネトロン ターゲット モリブデンの管のモリブデン ターゲット コーティング ターゲットのための回転式放出させるターゲット

起源の場所 中国
ブランド名 PRM
証明 ISO9001
モデル番号 習慣
最小注文数量 1kg
価格 $50~200/kg
パッケージの詳細 合板の箱
受渡し時間 7~10の仕事日
支払条件 T/T
供給の能力 2000kgs/month

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心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。

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商品の詳細
名前 モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲット 材料 モリブデン
純度 99.95% 密度 10.2g/cm3
管のタイプ サイズ デッサンによる習慣
表面 明るい 輸出港 中国の港
ハイライト

PRMのモリブデン プロダクト

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管のモリブデン プロダクト

,

回転式放出させるターゲット

メッセージ
製品の説明

モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲット

 

1. モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲットの記述:

 

モリブデンの回転式放出させるターゲットは通常操作の間に低速で回る、中静止した磁石との円柱形になされるマグネトロン ターゲットである。共通の製品仕様書は次の通りある:ID133/OD 157X 3191mm;ID-133/OD-157 X 3855mm;ID160/OD 180X1800MM.私達はモリブデンにさまざまな普通サイズの回転式ターゲットを提供し、また顧客の特定の条件に従って機械で造ることができる。

 

モリブデンの回転の放出させるターゲットの形のコーティング材料がフラット パネル スクリーン(TFT LCD、OLED)のCIGSの背部接触または薄膜トランジスターのためのモリブデンの層を作り出すのに使用されている。従って単一回転ターゲットに100%のコーティング材料のはさみ金がないし、組み立てたある。これらのターゲットはより高い効率を可能にしている間かなり放出させる性能を改善できる。従って、増加された物質的な収穫はまた担保付きの回転ターゲットと比較されるコーティング プロセスの製造原価を削減する。

 

管のモリブデン プロダクト マグネトロン ターゲット モリブデンの管のモリブデン ターゲット コーティング ターゲットのための回転式放出させるターゲット 0管のモリブデン プロダクト マグネトロン ターゲット モリブデンの管のモリブデン ターゲット コーティング ターゲットのための回転式放出させるターゲット 1

 

2.モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲットの特徴:

 

それに良い業績の条件があるモリブデンの回転ターゲットの使用温度のような1800°Cはある、最も高い使用温度は2310°Cである、密度は10.2 g/cm3であり、純度は99.95%である、従って太陽電池、建築ガラス、自動車ガラス、半導体、フラット パネルTV、等の準備で頻繁に使用される。

 

3.モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲットの利点:

 

モリブデンの回転ターゲットはモリブデンの放出させるターゲットの稼働率を改善する方法である。モリブデン平面ターゲットと比較されて、モリブデン回転ターゲット構造の設計はモリブデンの放出させるターゲットの相当な利点を示す。ターゲット寿命は時間を放出させる放出させる力の時間か基質で沈殿させることができる材料の総厚さと定義される。モリブデンの平らなターゲットからのモリブデンの回転式ターゲットへの幾何学および設計の変更はターゲットの稼働率を高め、稼働率は30%からモリブデンの平らなターゲットの50% >モリブデンの回転式ターゲットの80%にまで高めることができる。さらに、目標資料の生命が放出させる時間までに放出させる力を増加することによって測定されれば、モリブデン回転ターゲットの生命はモリブデン平らなターゲットのそれの長く5倍である。モリブデン回転式ターゲットが放出させるプロセスの間に絶えず回るので、表面に重い沈殿がない。

 

4.モリブデンのマグネトロン ターゲットのための回転式放出させるターゲットの化学内容:

 

定量分析
要素 NI Mg Fe Pb Al Bi Si CD カリフォルニア P
集中(%) 0.003 0.002 0.005 0.0001 0.002 0.0001 0.002 0.0001 0.002 0.001
要素 C O N Sb Sn          
集中(%) 0.01 0.003 0.003 0.0005 0.0001          
純度(金属基盤) Mo ≥99.95%
要素 NI Pb Fe Mg Al Bi CD Si P
集中(%) 0.0014 <0> 0.0047 <0> 0.0002 <0> <0> <0> <0>
要素 C N Sb Sn CU        
集中(%) 0.0021 0.03 <0> <0> <0>        
純度(金属基盤) Mo ≥99.97

 

 


 

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